全球128个国家签署的《联合国水俣公约》已于2017年8月在我国正式收效，公约明令各国从2020年起制止出产及进出口各种含有汞的制品，传统汞灯将被制止出产和出售。
开展环保节能的新式紫外固态光源，代替现在使用广泛的紫外汞灯，已成为灭菌消毒和固化曝光范畴火急的需求。根据第三代半导体资料AlGaN的紫外LED对暴虐的新冠病毒有着十分显着的杀灭作用，因而得到国内外各界的高度重视。
不同于老练的蓝光LED，因为紫外LED的中心资料具有更低的In含量和更高的Al含量，这使得外延层缺点密度高、p-AlGaN资料中空穴浓度低、极化效应强、载流子输运不平衡等问题极为杰出。
因而，紫外LED的发光功率仍远低于老练的蓝光LED。当发光波长低于370 nm时，紫外LED更是面临着发光功率骤降的难题，成为阻止其高端使用的最大妨碍。
针对以上问题，广东省科学院半导体研讨所先进资料渠道从资料成长和器材规划两方面临紫外LED展开了较体系深化的研制技能。首要，选用MOCVD精密成长形式调控技能成功制备出高质量AlGaN资料和高内量子功率的AlGaN量子阱；
一起，研讨人员选用极化场调控技能和能带工程，将多元合金p-AlInGaN/AlGaN短周期超晶格资料（SPSL）引进到AlGaN基紫外LED的电子阻挡层（EBL）结构中，成功研制出高内量子功率的紫外LED器材。
结果表明SPSL-EBL能改进紫外LED器材的载流子传输特性，下降器材的敞开电压，使得发光波长在368 nm的紫外LED器材发光功率比传统结构提高了101.6%，此项研讨将会为高功率的全固态紫外光源的研制拓荒新途径。
两种样品的晶体质量杰出，各异质结界面明晰；（j）和（k）分别为传统紫外LED根据SPSL紫外LED在200mA正向电流注入下的点亮相片，芯片B的紫外光功率比较传统结构的紫外LED提高了101.6%
原文标题：【中顺半导体·技能】科学家使用多元合金超晶格提高紫外LED光效101.6%
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